Технические модули SEMIX (новое поколение IGBT)

SEMiX — новое поколение никзопрофильных силовых модулей IGBT фирмы SEMIKRON (одного из мировых лидеров в области производства электронных компонентов для мощных и сверхмощных применений). Продукция фирмы SEMIKRON насчитывает более 11 000 различных наименований полупроводников в диапазоне мощности от 1 Вт до нескольких МВт.

Модули SEMiX являются самыми малогабаритными для своего диапазона мощности — высота их профиля составляет всего 17 мм. Внутренняя топология модулей обеспечивает минимальное значение распределенной индуктивности и распределенного сопротивления проводников, что обеспечивает хорошие динамические характеристики и, в сочетании с низким напряжением насыщения транзисторов, минимальные потери проводимости. Более подробно характеристики IGBT модулей можно изучить на сайте.

Применение силовых модулей:

• приводы: вентиляторы, насосы, мельницы, краны, подъемники, эскалаторы, конвейерные линии;
• технологические процессы: сварка, индукционный нагрев, электрохимическая обработка;
• индустриальные применения: печатные машины, ткацкое оборудование, линии розлива, промышленные роботы, сервоприводы;
• источники питания: импульсные
DC/DC- и AC/DC-преобразователи, зарядные устройства, ИБП, источники питания лазеров, рентгеновских установок, измерительного оборудования;
• электротранспорт: электро- и гибридомобили, вильчатые подъемники, гольф-кары, электропоезда, стартер-генераторы;
• энергетика: генераторы, компенсаторы реактивной мощности, выпрямители для силовых подстанций;
• альтернативные источники питания: ветрогенераторы, солнечные батареи, тепловые насосы, топливные элементы.

Конструкция силовых модулей:

Силовые модули отдельных силовых полупроводников (MOSFET или IGBT кристаллов и диодов) являются электрически изолированными от монтажного основания (теплоотвода) и встроены в корпус на общей пластине.

Кристаллы припаяны (или приклеены) к металлической поверхности изолирующей подложки, которая электрически изолирует кристаллы от общей пластины модуля, и в то же время хорошо отводит тепло. Верхние части кристаллов подключены к структурным площадкам металлизированных поверхностей с помощью алюминиевых проводов. Дополнительно, пассивные элементы, такие как резисторы, шунты/ датчики тока или температуры (например PTC . резисторы) могут быть встроены в модуль (гибридно) а также частично в кристаллы транзистора (монолитно).